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中国46座晶圆制造厂最新情况跟踪

来源:华股财经 编辑:华股编辑 时间:2019年03月05日 15:07:24

原标题:中国46座晶圆制造厂最新情况跟踪

转载自 【2019.02.20 AA探针台 阅读 24】

2018年,芯思想研究院对国内晶圆生产线的情况进行了长期深入的跟踪调研。

根据芯思想研究院的统计,截止2018年底我国12英寸晶圆制造厂装机产能约60万片;8英寸晶圆制造厂装机产能约90万片;6英寸晶圆制造厂装机产能约200万片;5英寸晶圆制造厂装机产能约90万片;4英寸晶圆制造厂装机产能约200万片;3英寸晶圆制造厂装机产能约50万片。

为了让大家对我国新的晶圆制造线的最新情况有个大概了解,本文章对2018年度有关中国晶圆生产线的最新情况进行盘点,共计46个项目情况情况,46个项目宣布投资资金总额超过14000亿人民币。

本文分为五个部分。分别是投产篇、产能爬坡篇、扩建篇、在建篇、规划篇。

投产篇:2018年度宣布投产的晶圆制造生线;

产能爬坡篇:2018年度前投产的生产线,2018年产能较2017年开始提升;

扩建篇:2018年度前已经投产,但2018年开始新产能的建设;

在建篇:2018年度还在建设的全新晶圆生线;

规划篇:2018年度宣布建线计划。

对于46条生产线情况的未来发展还有待时间验证,在2019年度芯思想研究院还将继续跟踪调研。

投产篇(10)

上海华力集成电路制造有限公司(华力二期)(12英寸)

长江存储科技有限责任公司(12英寸)

合肥长鑫集成电路有限责任公司(12英寸)

台积电(南京)有限公司(12英寸)

英特尔半导体(大连)有限公司(12英寸)

中芯集成电路(宁波)有限公司(8英寸)

北京燕东微电子科技有限公司(8英寸)

河南芯睿电子科技有限公司(6英寸)

株洲中车时代电气股份有限公司(6英寸碳化硅)

北京世纪金光半导体有限公司(6英寸碳化硅)

产能爬坡篇(9)

中芯国际集成电路制造(深圳)有限公司(12英寸)

合肥晶合集成电路有限公司(12英寸)

联芯集成电路制造(厦门)有限公司(12英寸)

杭州士兰集昕微电子有限公司(8英寸)

上海新进芯微电子有限公司(8英寸)

英诺赛科(珠海)科技有限公司(8英寸)

四川广义微电子股份有限公司(6英寸)

苏州能讯高能半导体有限公司(氮化镓)

江苏能华微电子科技发展有限公司(氮化镓)

扩建篇(4)

三星(中国)半导体有限公司(12英寸)

SK海力士半导体(中国)有限公司(12英寸)

武汉新芯集成电路制造有限公司(12英寸)

中芯国际集成电路制造(天津)有限公司(8英寸)

在建篇(21)

中芯南方集成电路制造有限公司(12英寸)

华虹半导体(无锡)有限公司(12英寸)

南京紫光存储科技控股有限公司(12英寸)

成都紫光国芯存储科技有限公司(12英寸)

福建省晋华集成电路有限公司(12英寸)

厦门士兰集科微电子有限公司(12英寸)

重庆万国半导体科技有限公司(12英寸)

广州粤芯半导体技术有限公司(12英寸)

芯恩(青岛)集成电路有限公司(12英寸)

格芯(成都)集成电路制造有限公司(12英寸)

德淮半导体有限公司(12英寸)

江苏时代芯存半导体有限公司(12英寸)

武汉弘芯半导体制造有限公司(12英寸)

上海积塔半导体有限公司(12英寸/8英寸)

海辰半导体(无锡)有限公司(8英寸)

中芯集成电路制造(绍兴)有限公司(8英寸)

赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司(8英寸MEMS)

德科码(南京)半导体科技有限公司(8英寸)

江苏中璟航天半导体实业发展有限公司(8英寸)

厦门士兰明镓化合物半导体有限公司(6英寸)

北京双仪微电子科技有限公司(6英寸砷化镓)

规划篇(2)

华润微电子重庆基地(12英寸)

矽力杰半导体青岛项目(12英寸)

投产篇

上海华力集成电路制造有限公司

(华力二期,HHFAB6)

2018年10月18日,上海华力集成电路制造有限公司(华力二期)生产线正式投片,首批12英寸硅片进入机台,开始28纳米工艺芯片制造。

2016年12月30日上海华力集成电路制造有限公司(华力二期,HHFAB6)12英寸先进生产线开工建设;2017年5月20日桩基工程完工,开始主厂房钢结构屋架吊装,11月2日厂房主体结构完成;2018年5月21日实现首台工艺设备光刻机搬入。

上海华力集成电路制造有限公司(华力二期,HHFAB6)12英寸先进生产线建设项目是上海市最大的集成电路产业投资项目,总投资387亿元人民币,将建成月产能4万片的12英寸集成电路芯片生产线,工艺覆盖28-14纳米技术节点。项目计划于2022年底达产。

长江存储科技有限责任公司

2018年第四季度,长江存储一期工程正式投产,32层3D NAND闪存芯片成功实现量产。

2016年7月26日,长江存储有限责任公司成立;2016年12月30日,国家存储器基地项目正式开工建设;2017年7月,32层3D NAND 芯片T/O(设计完成);2017年9月,国家存储器基地项目一期工程提前封顶;2017年11月,耗资10亿美元、1000人团队历时2年研发的32层3D NAND 芯片完成首次验证;2018年4月11日,一期工程生产机台正式进场安装。

国家存储器基地项目规划,预计5年投入1600亿元(约合240亿美元),到2020年形成月产能30万片的生产规模,到2030年建成每月100万片的产能。

睿力集成电路有限公司

合肥长鑫集成电路有限责任公司

2018年7月16日,合肥12英寸存储器“506项目”正式投片。

2016年5月6日合肥12英寸存储器“506项目”启动;2017年3月厂房开工,2018年1月开始设备安装。

不过,根据国家发改委等四部委2018年13号公告表明,公告中有睿力集成电路有限公司和合肥格易集成电路有限公司,而没有合肥长鑫集成电路有限责任公司。

台积电(南京)有限公司

2018年10月31日,台积电正式对外宣布南京12英寸晶圆厂FAB16量产,提供12寸16nm FinFET晶圆代工业务。据悉,南京厂月产能为10000片,预计2019年年底前将提升为15000片,2020年第一季达到20000片的规划产能。

2015年年底,台积电宣布,已向台湾“投审会”递件申请赴大陆设立12英寸晶圆厂与设计服务中心,设立地点确定为江苏省南京市江北新区,投资金额大约在30亿美元;2016年3月台积电南京项目正式落户南京,2016年7月项目一期正式开工建设;2017年9月,台积电南京公司举行了机台MOVE-IN典礼;2018年5月晶圆厂开始试投产。

英特尔半导体(大连)有限公司

2018年第二季,英特尔宣布大连的Fab 68二期投产,主要生产96层的3D NAND闪存。

2015年10月19日,英特尔与大连市举行“大连英特尔非易失性存储制造”项目签约。英特尔宣布,为了积极追赶竞争对手的市占率,Fab 68二期改造工程总投资55亿美元,该战略性计划是英特尔深化其非易失性存储器业务发展战略的一个重要举措。

此项投资符合英特尔大连工厂的长期发展策略,也体现了英特尔与中国共成长的长期发展承诺。

中芯集成电路(宁波)有限公司

2018年第三季度,中芯宁波8英寸特种工艺N1产线生产设备进厂,2018年11月2日正式投产。同日,N2产线开工建设。

这是中芯支持建设的特色工艺生线。中芯集成电路(宁波)有限公司由中芯晶圆与宁波胜芯、华创投资等联合成立。公司将通过对相关知识产权和技术的收购、吸收、提升和发展,在高压模拟半导体以及包括射频与光电特色器件在内的模拟和特色工艺半导体技术领域,开发、建立新的核心器件及技术平台,以支持客户面向智能家电、工业与汽车电子、新一代射频通讯以及AR/VR/MR等专用系统应用的芯片设计、产品开发。

中芯集成电路(宁波)有限公司分为N1(租用小港安居路现有厂房)与N2(柴桥)两个项目,将建成为中国最大的模拟半导体特种工艺的研发、制造产业基地,采用专业化晶圆代工与定制产品代工相结合的新型商业模式,并提供相关产品设计服务平台。

北京燕东微电子科技有限公司

2018年12月31日,燕东微电子8英寸Mini-line试验线第一片晶圆正式下线,实现了Trench MOSFET 30V产品全流程贯通,器件功能良好,电性能测试单片良率超80%。这是燕东微电子在8吋晶圆制造的里程碑。

2018年4月15日,燕东微电子8英寸集成电路项目举行上梁仪式,6月29日主厂房封顶。

该项目建设地设在亦庄经济开发区东区B15地块,占地面积约为10万平方米,总投资48亿元。芯片生产厂房包含一条月产5万片(25次光刻)0.25um-0.09um(典型工艺为0.11um)、BCD兼容工艺的8英寸芯片生产线。

燕东微电子8英寸集成电路研发产业化及封测平台项目于2016年9月27日正式启动,当日,燕东公司还与该项目LCD驱动电路生产的主要技术合作方马来西亚Silterra公司签订了合作协议。

燕东微电子属北京电控旗下子公司,成立于1987年,是一家专业化的半导体器件芯片设计、制造、销售的全资国有高科技企业。

河南芯睿电子科技有限公司

2018年6月6英寸生产线全面投产,年产20亿只智能终端产品用超小型传声器。

芯睿与中科院固体物理所、西安电子科技大学等知名科研院所深度合作,组建的光电传感与集成应用河南省重点实验室、声电转换专用集成电路河南省工程实验室、微电子研究院成为企业持续创新、保持技术领先的秘密所在。

企业独有的“0.33微米厚度声电转换芯片技术”一些关键技术指标达到了国际先进水平。

株洲中车时代电气股份有限公司

2018年1月,在中国科学院微电子研究所的技术支持和协助下,株洲中车时代电气股份有限公司6英寸碳化硅(SiC)芯片生产线顺利完成技术调试,厂务、动力、工艺、测试条件均已完备,可实现4寸及6寸SiC SBD、PiN、MOSFET等器件的研发与制造。这是国内首条6英寸碳化硅生产线。

生产厂房2017年8月交付使用,12月SiC芯片生产线便完成了工艺设备技术调试,2018年1月首批芯片试制成功。

自2011年微电子所与中车株洲电力机车研究所有限公司共建新型电力电子器件联合研发中心,开展SiC电力电子器件研制和产品开发,在大容量SiC SBD、MOSFET电力电子器件产品研发和产业化方面取得进展,实现600V~6500V/5A-200A SiC SBD产品开发,以及600~1700V/5A~20A SiC MOSFET器件研制。

北京世纪金光半导体有限公司

2018年2月1日,北京世纪金光半导体有限公司6英寸碳化硅器件生产线成功通线。

北京世纪金光半导体有限公司成立于2010年12月24日,其前身为中原半导体研究所。公司主营宽禁带半导体晶体材料、外延和器件的研发与生产。

产能爬坡篇

中芯国际集成电路制造(深圳)有限公司

2018年中芯国际深圳基地12英寸晶圆生产线月产能3000片,目前正在按需扩产中。

中芯国际深圳基地规划一条月产能4万片的12英寸产线,聚焦在0.11微米到55纳米这些工艺的生产,2017年第4季投产。

合肥晶合集成电路有限公司

2018年12月公司达到每月10000片生产规模;2019年底月产能可以达到25000片规模。

2018年,晶合以110纳米-180纳米工艺制造LCD驱动芯片,此后不再从力晶进行技转,而是自研55纳米工艺技术,预计将于2019年投产。

2015年10月20日,晶合总投资128.1亿元人民币的12英寸晶圆制造基地项目(一期)开工;2016年11月16日晶合集成一期举行封顶仪式;2017年4月20日,晶合集成主机台进驻;2017年6月28日投产;2017年9月25日达到量产标准;2017年10月1日宣布正式量产。

公司计划建置4座12吋晶圆厂。其中一期投入 资金超过百亿元,目前已完成N1、N2两个厂房主体的建设,N1厂计划2020年达到满产每月4万片规模。

联芯集成电路制造(厦门)有限公司

2018年第4季联芯集成的月产能约为17000万片,较2017年第4季的月产能12000片增长约40%。

联芯集成电路制造(厦门)有限公司为台湾联华电子与厦门市人民政府及福建省电子信息集团合资成立之一流晶圆专工企业,于福建省厦门市从事集成电路制造,提供12英寸晶圆专工服务。联芯集成电路制造公司于2014年底开始筹建,2015年3月26日奠基动工,2016年11月开始投产,可提供40nm及28nm的晶圆专工服务,一期月产能为25000片12英寸晶圆。

厦门联芯厂在引进28纳米制程后,2017年第二季度投产5000片,第三季度投产12000片。2017年12月13日通过189.9亿元新台币(约合6.3亿美元)资本预算执行案,间接增资厦门联芯集成电路制造有限公司,扩增晶圆厂产能。2018年第一季度月产能将扩增至16000片规模,2018年年底实现月产25000片的目标。

杭州士兰集昕微电子有限公司

2018年公司进一步加快8英寸芯片生产线投产进度,12月达产30000片,较6月月产能达20000片增长50%。

2015 年开工建设;2016 年1月主要生产厂房已结顶,部分生产设备运抵公司;2016 年 12 月底,主厂房建设、净化装修和机电动力设备安装等均已完工,部分工艺设备也已安装完毕并进入调试阶段预计;2017年3 月产出第一片合格芯片;2017年6月正式投入量产;2017年12 月实现月产15000片;当年共产出芯片5.71 万片;2018年公司进一步加快8英寸芯片生产线投产进度,已有高压集成电路、高压MOS管、低压MOS管、肖特基管、IGBT等多个产品导入量产。2018年6月,月产能达20000片,上半总共产出芯片10.24万片。

上海新进芯微电子有限公司

2018年第一季度末每月产能达3000片8英寸晶圆,2018年年底增加到月产10000片晶圆。

自2015年启动升级计划,2016年8英寸设备开始进厂安装调试,2017年第四季完成了对8英寸晶圆质量评估。

英诺赛科(珠海)科技有限公司

2018年8英寸硅基氮化镓生产线产能进一步提升。

2017年11月9日,英诺赛科(珠海)科技有限公司自主研发的中国首条8英寸硅基氮化镓生产线通线投产。主要产品包括8英寸硅基氮化镓晶圆及100V-650V氮化镓功率器件。公司拥有德国爱思强公司的G5+ MOCVD设备,该设备也是世界领先的针对8英寸硅基氮化镓外延的产业化设备。

四川广义微电子股份有限公司

2018年12月,在北京燕东微电子的支持下,公司6英寸月产能顺利达到30000片,较2018年7月的12000片,增长了150%。2019年计划月产能从30000片扩充至60000片,冲击80000片。

2017年8月18日公司“0.25微米6英寸MOSFET”芯片项目一期生产线的正式投产;2018年6月与英飞凌签订了战略合作协议;2018年8月与北京燕东微电子公司签订增资入股协议。

四川广义微电子股份有限公司是一家专业化的集成电路设计、制造、销售于一体的IDM高科技企业,公司规划月产能15万片。

苏州能讯高能半导体有限公司

苏州能讯高能半导体有限公司氮化镓器件于2011年开始建设;2013年试生产,2014年投产,2015年开始批量生产。目前正在由于3英寸向4英寸晶圆转换。

能讯半导体采用整合设计与制造(IDM)的模式,自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术。目前完成了面向5G通信系统的技术与产品的积累,产品性能已通过国际一流通讯企业的测试与认证。

江苏能华微电子科技发展有限公司

2017年11月15日公司生产线正式投产后,产能一直在稳定提升中。目前要生产4英寸和6英寸晶圆。

江苏能华微电子科技发展有限公司是专业设计、研发,生产、制造和销售以氮化镓(GaN)为代表的复合半导体高性能晶圆、以及用其做成的功率器件、芯片和模块的高科技公司。

扩建篇

武汉新芯集成电路制造有限公司

2018年8月28日,武汉新芯集成电路制造有限公司召开二期扩产项目现场推进会在武汉召开。据悉武汉新,二期扩产项目规划总投资17.8亿美元。

据悉,二期将紧抓物联网和5G运用的市场机遇,建设NOR FLASH(自主代码型)闪存、微控制器和三维特种工艺三大业务平台,相当于再造一个武汉新芯。

根据规划,武汉新芯的NOR FLASH闪存能力每个月扩充8000片,从月产能1.2万片扩至月能2万片,微控制器每个月扩充5000片,计划用5年时间把武汉新芯建设成中国物联网芯片领导型企业。

三星(中国)半导体有限公司

2018年3月,三星宣布在西安举行了第二条NAND闪存芯片生产线的奠基仪式,2019年投产。

三星未来三年将斥资70亿美元,扩大西安厂区NAND Flash产能,西安NAND Flash月产能将由目前的12万片增至20万片,增幅约67%。

SK海力士半导体(中国)有限公司

2018年SK海力士半导体12英寸集成电路生产线6期技术升级和洁净厂房扩建正在施工中。

2017年10月29日,SK海力士与无锡市政府就海力士新上二工厂项目签约,总投资高达86亿美元。兴建完成之后,将形成月产能20万片10纳米制程等级的晶圆生产基地。

中芯国际集成电路制造(天津)有限公司

2018年7月,中芯国际天津厂举行了P2 Full Flow 扩产计划的首台设备进驻仪式;截止2018年第四季,天津厂8英寸晶圆月产能达60000片。

2016年10月18日开始,正式启动天津厂产能扩充计划,该计划预计投资金额为15亿美金。在计划完成后,产能将达到每月15万片的规模,有望成为全球最大的单体8英寸晶圆的生产基地。

2017年2月扩产项目正式启动。

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